Produkt detalj
Produktetiketter
| Egenskap | Verdi |
| Produsent: | PÅ halvleder |
| Produktkategori: | MOSFET |
| RoHS: | Detaljer |
| Teknologi: | Si |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Pakke/etui: | SOT-23-3 |
| Transistor polaritet: | N-kanal |
| Antall kanaler: | 1 kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Spenning: | 60 V |
| Id - Kontinuerlig avløpsstrøm: | 115 mA |
| Rds On – Drain-Source Resistance: | 7,5 ohm |
| Vgs - Gate-Source Spenning: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Minimum driftstemperatur: | -55 C |
| Maksimal driftstemperatur: | + 150 C |
| Pd - Effekttap: | 300 mW |
| Kanalmodus: | Forbedring |
| Emballasje: | Klipp tape |
| Emballasje: | Musehjul |
| Emballasje: | Spole |
| Konfigurasjon: | Enkelt |
| Høyde: | 0,94 mm |
| Lengde: | 2,9 mm |
| Produkt: | MOSFET Lite signal |
| Serie: | 2N7002L |
| Transistor type: | 1 N-kanal |
| Type: | MOSFET |
| Bredde: | 1,3 mm |
| Merke: | PÅ halvleder |
| Foroverkonduktans - Min: | 80 mS |
| Produkttype: | MOSFET |
| Fabrikkpakkemengde: | 3000 |
| Underkategori: | MOSFET-er |
| Typisk utkoblingsforsinkelse: | 40 ns |
| Typisk oppstartsforsinkelse: | 20 ns |
| Enhetsvekt: | 0,000282 oz |
Tidligere: MMBT2222ALT1G NPN 600mA 40V 225mW SOT-23(SOT-23-3) bipolare transistorer – BJT RoHS Neste: MMBT2907ALT1G PNP 600mA 60V 300mW SOT-23(SOT-23-3) bipolare transistorer – BJT RoHS